单粒子效应

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从细致的全物理仿真，到抽象的基于实验现象的计算和空间预估，再到抗单粒子效应加固设计，珂晶达拥有相当的单粒子效应相关经验。总的来讲，我们在单粒子效应方面可以做的包括：

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总剂量效应

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从辐射源到剂量在器件中的分布，再到绝缘体中空间累积电荷和表面态，再到载流子分布，最后到器件的电学响应，珂晶达给出从头到尾的仿真方案。仿真能描述总剂量效应的细节过程，可以用于认识机理、分析现象，也可以用于指导和验证加固方法。

在 SPICE 模型中，可以用叠加寄生晶体管来描述总剂量效应。

珂晶达还提供加固设计服务和轨道空间总剂量预估软件。

应用算例下载: CMOS 总剂量。

成像和光电器件

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仿真的从光在器件里的传输开始，到载流子行为（三维），再到给出电学参数。以成像器件为例，可以分析和优化的物理量包括：

  • 内部量子效率
  • 暗电流
  • 动态范围

应用算例下载：CMOS 成像器件。

GGNMOS ESD 保护

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栅极接地 NMOS（ggNMOS）是一种常见的 ESD 保护器件。仿真中 ggNMOS 器件的触发由漏-衬底结的冲击离化过程决定，所以冲击离化的物理模型很重要。Genius实现了数种冲击离化模型供用户选择。高电压高电流导致高温，晶格热效应模型是仿真的关键。另外，热边界条件也决定了热的扩散过程。

ESD 保护器件直接和 I/O 管脚连接，这可以通过混合仿真来实现。

应用算例下载：ggNMOS。

THz, RF Devices

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A typical HBT device simulation includes these parts:

  • A DC characterization of HBT, which performs an Ic~Vbe simulation and computes a family of Ic~Vce curves.
  • A small signal simulation, which computes cut-off frequency fT.
  • A small signal simulation, which performs a two-port network analysis.

电离辐射的蒙特卡罗模拟

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您需要处理电离辐射相关的问题吗？需要做计算吗？需要专用软件来模拟您的辐射传输和效应吗？

珂晶达在这个领域有着相当的经验，我们常做的主要是：

  • 为客户开发专用软件来计算辐射效应和其他关联物理过程
  • 帮助客户开发物理计算软件

计算机集群

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您有繁重的计算任务？手头有几个鸡肋工作站？您觉得集群计算机太贵？

您需要我们。

计算机集群曾经很昂贵，但是时代已经不同了，现在您不需要多少钱就可以搭建一套计算机集群。如果您手头有几台鸡肋的工作站，那么硬件钱也省下来了。珂晶达在搭建计算机集群方面具有相当的经验。我们采用高效的操作系统和任务调度软件，您不用再为计算任务而发愁。